電気電子工学科の山口敦史教授が、11月11日（日）～16日（金）に金沢市で開催される国際学会「International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2018)」の現地実行委員長を務めます。また、金沢工業大学から、電気電子工学科・大学院 電気電子工学専攻を中心に、学生約50人がボランティアとして学会の運営に携わります。

「International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2018)」は、4つの独立したワークショップから構成される国際会議です。近年は、窒化物半導体材料のさらなる可能性が追求されており、高出力深紫外線LEDや省エネパワーデバイス等の実現に向けた研究開発が盛んです。今回の国際会議では、当該分野の世界的に著名な研究者が集結し(32ヶ国から1250名を超える研究者が参加)、窒化物半導体に関する最先端の研究が議論されます。11月12日(月)には、2014年度ノーベル物理学賞受賞者である天野浩・教授(名古屋大学)が基調講演を行います。

International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2018)

日程：2018年11月11日（日）～16日（金）

会場： ANAクラウンプラザホテル金沢、石川県立音楽堂

ウェブサイト：http://iwn2018.jp/index.html