電気電子工学科 ニュース

井田研究室の矢吹亘さんと山田拓弥さんが「電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会」で学会発表

大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻2年の矢吹亘さんと山田拓弥さんが8月7日(水)~8月9日(金)に開催された「電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会」で学会発表を行いました。

発表者:矢吹亘さん(井田研究室)

発表タイトル:急峻なSSを持つ“PN-Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響

発表者:山田拓弥さん(井田研究室)

発表タイトル:極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ

KIT金沢工業大学

  • Hi-Service Japan 300
  • JIHEE
  • JUAA
  • SDGs

KIT(ケイアイティ)は金沢工業大学のブランドネームです。

Copyright © Kanazawa Institute of Technology. All Rights Reserved.