電気電子工学科 ニュース
百瀬駿さん（井田研究室）が電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会から「SDM研究会若手優秀発表賞」を授与
大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻2年の百瀬駿さん（井田研究室）が電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）から「SDM研究会若手優秀発表賞」を授与されました。SDM研究会若手優秀発表賞は、SDM研究会に投稿し、講演を行った若手研究者のうち、特に優秀な発表を行った者に対して授与されます。
発表者：百瀬駿さん
発表タイトル：急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性
