電気電子工学科 ニュース

百瀬駿さん(井田研究室)が電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会から「SDM研究会若手優秀発表賞」を授与

大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻2年の百瀬駿さん(井田研究室)が電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)から「SDM研究会若手優秀発表賞」を授与されました。SDM研究会若手優秀発表賞は、SDM研究会に投稿し、講演を行った若手研究者のうち、特に優秀な発表を行った者に対して授与されます。

発表者:百瀬駿さん

発表タイトル:急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性

大学院工学研究科博士前期課程電気電子工学専攻2年の百瀬駿さん(井田研究室)が電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)から「SDM研究会若手優秀発表賞」を授与されました。SDM研究会若手優秀発表賞は、SDM研究会に投稿し、講演を行った若手研究者のうち、特に優秀な発表を行った者に対して授与されます。

発表者:百瀬駿さん

発表タイトル:急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性

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