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大学院生の山岸颯矢さんがワイドギャップ半導体学会「優秀ポスター発表賞」受賞。
広く用いられている理論モデルの妥当性を根本から問う、学術的に極めて優れた研究と評価
大学院工学研究科電気電子工学専攻 博士前期課程１年の山岸颯矢さん（山口敦史研究室）が、2026年8月31日に愛知県名古屋市の名城大学にて開催された「ワイドギャップ半導体学会」特別公開シンポジウムにおいて「優秀ポスター発表賞」を受賞しました。
ワイドギャップ半導体学会は、照明用白色LEDや高耐圧パワートランジスタに用いられるエネルギーギャップの大きな半導体の材料・デバイスに関する研究者が集う学会です。通常、本学会の研究会は会員企業と選ばれた研究者のみが参加できる非公開形式で行われますが、年に1度、一般公開の「特別公開シンポジウム」が開催されます。その中で、若手研究者の研究活動を奨励するためのポスター発表セッションが行われ、今回は19件のポスター発表の中から厳正な審査を経て7件が優秀ポスター賞に選出。山岸さんも選ばれました。山岸さんは、2025年5月に開催された応用物理学会北陸・信越支部「有機・無機エレクトロニクスシンポジウム」での「発表奨励賞」受賞に続き、これが自身2度目の学会表彰という快挙となります。
論文題目：
InGaN単一量子井戸における光励起強度変調法と時間分解フォトルミネッセンス法によるキャリア寿命評価の比較
著者：
山岸 颯矢、山口 敦史（金沢工業大学）、冨谷 茂隆（奈良先端科学技術大学院大学）
【指導教員の山口敦史教授（電子情報システム工学科）のコメント】
山岸さんの研究は、白色LEDや青色半導体レーザの発光層に用いられるInGaN量子井戸におけるキャリア（電子・正孔）の再結合寿命を、従来とは全く異なる方法で測定したものである。その結果、得られたデータが従来法による測定結果と大きく異なることが判明した。これは現在広く用いられている理論モデルの妥当性を根本から問うものであり、学術的に極めて優れた研究であると高く評価された。今回のシンポジウムは、発表者に占める受賞者の割合は比較的高いものの、発表者の多くが博士後期課程の学生であり、各発表の学術的レベルが非常に高かったことから、その中での受賞は素晴らしい成果と言える。指導教員としては、山岸さんの今後の更なる成長に期待している。
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