大学院工学研究科電気電子工学専攻博士前期課程１年の山岸颯矢さん（山口敦史研究室）が、応用物理学会北陸・信越支部「有機・無機エレクトロニクスシンポジウム」（2026年5月19日に石川県小松市のサイエンスヒルズこまつ　ひとものづくり科学館にて開催）において「発表奨励賞」を受賞しました。

「有機・無機エレクトロニクスシンポジウム」は、応用物理学会北陸・信越支部が2年に1度開催している研究会。北陸・信越地方の研究者の招待講演と若手のポスター発表が行われます。

今回は28名のポスター発表の中から発表奨励賞が2件選ばれ、山岸さんが選出されました。

論文題目：

InGaN量子井戸における変調測定によるキャリア寿命の推定

著者：

山岸 颯矢、山口 敦史（金沢工業大学）、冨谷 茂隆（奈良先端科学技術大学院大学）

山岸さんの研究は、白色LEDや青色半導体レーザの発光層に用いられるInGaN量子井戸※におけるキャリア（電子・正孔）の再結合寿命を従来とは全く異なる（コストのかからない）方法で推定したもので、山口敦史研究室としては挑戦的な取り組みでした。山岸さんが学部時代から精密な光学実験を積み重ねたおかげで、今回の成果が得られました。この研究会は全国規模のものではありませんが、過去の受賞者は、金沢大学など国立大学の学生が圧倒的に多く、今回の受賞は素晴らしい成果と言えます。指導教員としては、山岸さんの今後の更なる成長に期待しています。

※InGaN量子井戸
ナノメートルレベルに薄くした窒化インジウムガリウム（InGaN）を発光層（井戸層）として使用する半導体構造。青色LEDやレーザーダイオードの高効率な発光を実現する基幹技術

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