遠藤 和弘


客員教授・工学博士

遠藤 和弘

ENDO Kazuhiro
最終更新日 2025/06/10

■略歴
1964年
 
3月
 
東京都立日比谷高等学校 卒業

1969年
 
5月
 
東京大学 理科一類工学部 工業化学科 卒業

1971年
 
3月
 
東京大学大学院 工学系研究科 修士課程 修了

1976年
 
3月
 
東京大学大学院 工学系研究科 博士課程 修了

1976年
 
5月
 
通産省工業技術院 電子技術総合研究所 研究官 

1997年
 
4月
 
通産省工業技術院 電子技術総合研究所 ラボリーダー 

1999年
 
4月
 
金沢工業大学 連携大学院 客員教授 

2001年
 
4月
 
独立行政法人産業技術総合研究所 主任研究員 

2006年
 
4月
 
金沢工業大学 大学院工学研究科 高信頼ものづくり専攻 教授 

2019年
 
9月
 
アウロステクノロジーズ合同会社 CTO 

2020年
 
4月
 
金沢工業大学 金沢工大附置研究所 高信頼理工学研究センター 特任教員 教授 

2024年
 
4月
 
金沢工業大学 産学連携室 客員教授 



■専門分野
専門:電子構造、結晶構造、熱力学、高温超伝導体、パワー半導体、半導体高速化への素材開発、薄膜、有機金属化学気相成長、プラズマ、CFRPの接合
論文:「MOCVD法−高性能Bi2Sr2Ca2Cu3Ox超伝導薄膜を後熱処理なしで作製」(応用物理 1992年)ほか多数
受賞:電子技術総合研究所研究業績賞ほか
特許:「Bi系酸化物超電導薄膜の作製法」(米国 2011年)、「接合物の製造方法」(国内 2022年)ほか

■研究業績
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