客員教授・博士(工学)
角谷 正友
SUMIYA Masatomo
最終更新日 2024/04/05
■略歴
大阪府立大学工学部数理工学科卒。東京工業大学大学院総合理工学研究科博士課程修了。米国コロラド州立大学工学部博士研究員、静岡大学工学部助手、物質・材料研究機構主幹研究員。千葉大学工学部および工学院大学先進工学部非常勤講師、筑波大学数理物質系客員教授。内閣府総合科学技術・イノベーション会議事務局に出向。（国研）物質・材料研究機構機能材料研究拠点主席研究員。2019年本学客員教授就任。
■専門分野
専門：Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体の成長と物性評価。光熱偏向分光法を用いた半導体バンドギャップ内の欠陥とヘテロ構造界面でのキャリア輸送特性の評価。
論文･著書：M.Smiya他 'Review of polarity determination and control of GaN'ほか多数。
受賞：第5回応用物理学会講演奨励賞「CAICISSによるサファイア基板上GaN薄膜の成長方位の観察」（1998年）、第16回高柳研究奨励賞「窒化物半導体薄膜の成長と極性構造の解明」（2002年）。
その他専門情報：特許：「複合太陽電池」5598818号（2014年）ほか多数。
■研究業績
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■所属機関
（国研）物質・材料研究機構