角谷 正友


客員教授・博士(工学)

角谷 正友

SUMIYA Masatomo
最終更新日 2020/04/01

愛知県刈谷高校出身

■略歴
大阪府立大学工学部数理工学科卒。東京工業大学大学院総合理工学研究科博士課程修了。米国コロラド州立大学工学部博士研究員、静岡大学工学部助手、物質・材料研究機構主幹研究員。千葉大学工学部および工学院大学先進工学部非常勤講師、筑波大学数理物質系客員教授。内閣府総合科学技術・イノベーション会議事務局に出向。(国研)物質・材料研究機構機能材料研究拠点主席研究員。2019年本学客員教授就任。

■専門分野
専門:V-X族窒化物半導体薄膜の成長と物性評価。光熱偏向分光法を用いた半導体のバンドギャップ内の欠陥評価。太陽電池材料としての応用開発。
論文・著書:M.Smiya他 'Review of polarity determination and control of GaN'ほか多数。
受賞:第5回応用物理学会講演奨励賞「CAICISSによるサファイア基板上GaN薄膜の成長方位の観察」(1998年)、第16回高柳研究奨励賞「窒化物半導体薄膜の成長と極性構造の解明」(2002年)。
その他専門情報: 特許:「複合太陽電池」5598818号(2014年)ほか多数。

■所属機関
(国研)物質・材料研究機構